BSP149 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP149
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSP149

BSP149 Datasheet (PDF)

..1. Size:381K infineon
bsp149.pdf

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9.1. Size:51K philips
bsp145.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP145N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 24Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSP145vertical D-MOS transistorFEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High speed switching d4ha

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Liste

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