BSP149 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP149
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Encapsulados: SOT-223
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BSP149 datasheet
bsp149.pdf
BSP149 SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 200 V N-channel RDS(on),max 3.5 W Depletion mode IDSS,min 0.14 A dv /dt rated Available with V indicator on reel GS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-SOT223 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Re
bsp145.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP145 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor 1995 Apr 24 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP145 vertical D-MOS transistor FEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High speed switching d 4 ha
Otros transistores... BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , BSP135 , STP80NF70 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 , BSP298 , BSP299 , BSP300 .
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