BSP149 Todos los transistores

 

BSP149 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSP149
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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BSP149 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  infineon
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BSP149

BSP149SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 200 V N-channelRDS(on),max 3.5 W Depletion modeIDSS,min 0.14 A dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-SOT223 Qualified according to AEC Q101Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Re

 9.1. Size:51K  philips
 bsp145.pdf pdf_icon

BSP149

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP145N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 24Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSP145vertical D-MOS transistorFEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High speed switching d4ha

Otros transistores... BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , BSP135 , 20N50 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 , BSP298 , BSP299 , BSP300 .

History: HGN028NE6AL | CS7456 | STF13N60M2 | SIHFD014 | IPB123N10N3G | BRCS200P03ZJ

 

 
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