BSP149 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP149
   Código: BSP149
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.66 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 41 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSP149

BSP149 Datasheet (PDF)

..1. Size:381K infineon
bsp149.pdf

BSP149SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 200 V N-channelRDS(on),max 3.5 W Depletion modeIDSS,min 0.14 A dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-SOT223 Qualified according to AEC Q101Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Re

9.1. Size:51K philips
bsp145.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP145N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 24Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSP145vertical D-MOS transistorFEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High speed switching d4ha

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Liste

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