BSP149 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSP149
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для BSP149
BSP149 Datasheet (PDF)
bsp149.pdf

BSP149SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 200 V N-channelRDS(on),max 3.5 W Depletion modeIDSS,min 0.14 A dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-SOT223 Qualified according to AEC Q101Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Re
bsp145.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP145N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 24Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSP145vertical D-MOS transistorFEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High speed switching d4ha
Другие MOSFET... BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , BSP135 , 18N50 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 , BSP298 , BSP299 , BSP300 .
History: BSH112 | BSP030 | SWU12N70D | AP3310GH | SWD7N65DA | DG4N60 | STB100N6F7
History: BSH112 | BSP030 | SWU12N70D | AP3310GH | SWD7N65DA | DG4N60 | STB100N6F7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent