Справочник MOSFET. BSP149

 

BSP149 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP149
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для BSP149

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP149 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  infineon
 bsp149.pdf pdf_icon

BSP149

BSP149SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 200 V N-channelRDS(on),max 3.5 W Depletion modeIDSS,min 0.14 A dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-SOT223 Qualified according to AEC Q101Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Re

 9.1. Size:51K  philips
 bsp145.pdf pdf_icon

BSP149

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP145N-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 24Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSP145vertical D-MOS transistorFEATURES Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High speed switching d4ha

Другие MOSFET... BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , BSP135 , 20N50 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 , BSP298 , BSP299 , BSP300 .

History: RJK0379DPA | TMPF8N50Z | CS4N150W

 

 
Back to Top

 


 
.