BSP716N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP716N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de BSP716N MOSFET
BSP716N Datasheet (PDF)
bsp716n.pdf

BSP716NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 75 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 0.16 W Enhancement modeVGS=4.5 V 0.18 Logic Level (4.5V rated)ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT223 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-2175.2 Type Package Tape and Reel M
Otros transistores... BSP304A , BSP318S , BSP320S , BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , IRFB31N20D , BSP88 , BSP89L6327 , BSR606N , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F .
History: JCS4N65FB | LND150K1 | DMC1029UFDB | BUK7506-55A
History: JCS4N65FB | LND150K1 | DMC1029UFDB | BUK7506-55A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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