Справочник MOSFET. BSP716N

 

BSP716N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSP716N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для BSP716N

 

 

BSP716N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  infineon
 bsp716n.pdf

BSP716N BSP716N

BSP716NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 75 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 0.16 W Enhancement modeVGS=4.5 V 0.18 Logic Level (4.5V rated)ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT223 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-2175.2 Type Package Tape and Reel M

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top