Справочник MOSFET. BSP716N

 

BSP716N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP716N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для BSP716N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP716N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  infineon
 bsp716n.pdf pdf_icon

BSP716N

BSP716NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 75 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 0.16 W Enhancement modeVGS=4.5 V 0.18 Logic Level (4.5V rated)ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT223 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-2175.2 Type Package Tape and Reel M

Другие MOSFET... BSP304A , BSP318S , BSP320S , BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , IRFB31N20D , BSP88 , BSP89L6327 , BSR606N , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F .

History: AM50N10-18D | JCS50N06RH | AOI4S60 | PJS6806 | FTK1N60P | 2SK3313 | SPP11N80C3

 

 
Back to Top

 


 
.