BSP716N - описание и поиск аналогов

 

BSP716N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP716N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для BSP716N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP716N даташит

 ..1. Size:584K  infineon
bsp716n.pdfpdf_icon

BSP716N

BSP716N OptiMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 75 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 0.16 W Enhancement mode VGS=4.5 V 0.18 Logic Level (4.5V rated) ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT223 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 75.2 Type Package Tape and Reel M

Другие MOSFET... BSP304A , BSP318S , BSP320S , BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , IRF2807 , BSP88 , BSP89L6327 , BSR606N , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.