BSP716N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BSP716N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для BSP716N
BSP716N Datasheet (PDF)
bsp716n.pdf
BSP716NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 75 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 0.16 W Enhancement modeVGS=4.5 V 0.18 Logic Level (4.5V rated)ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT223 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-2175.2 Type Package Tape and Reel M
Другие MOSFET... BSP304A , BSP318S , BSP320S , BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , IRF2807 , BSP88 , BSP89L6327 , BSR606N , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F .
History: VS4020AP | FCU600N65S3R0 | SWD740D | BSP372N
History: VS4020AP | FCU600N65S3R0 | SWD740D | BSP372N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g


