BSR606N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSR606N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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BSR606N datasheet
bsr606n.pdf
BSR606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SC59 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen- Pa
Otros transistores... BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , BSP716N , BSP88 , BSP89L6327 , 2N60 , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F , BSS123L6327 , BSS123L6433 , BSS123N .
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