BSR606N Todos los transistores

 

BSR606N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSR606N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BSR606N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  infineon
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BSR606N

BSR606NOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated)ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SC59 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen- Pa

Otros transistores... BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , BSP716N , BSP88 , BSP89L6327 , IRF830 , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F , BSS123L6327 , BSS123L6433 , BSS123N .

History: CS20N60V | UPA572CT | AP2607GY-HF | AOTF12N60FD | SVF5N60DTR | AONY36304 | 2SK1299S

 

 
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