BSR606N - описание и поиск аналогов

 

BSR606N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSR606N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для BSR606N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSR606N даташит

 ..1. Size:368K  infineon
 bsr606n.pdf pdf_icon

BSR606N

BSR606N OptiMOS -3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 60 V N-channel RDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement mode VGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated) ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SC59 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant 3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen- Pa

Другие MOSFET... BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , BSP716N , BSP88 , BSP89L6327 , 2N60 , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F , BSS123L6327 , BSS123L6433 , BSS123N .

History: IRFSL4115PBF | APM4048ADU4 | CHM3258JGP | APM4018NU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.