Справочник MOSFET. BSR606N

 

BSR606N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSR606N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для BSR606N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSR606N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  infineon
 bsr606n.pdf pdf_icon

BSR606N

BSR606NOptiMOS-3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 60 mW Enhancement modeVGS=4.5 V 90 Logic level (4.5V rated)ID 2.3 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SC59 100%lead-free; Halogen-free; RoHS compliant3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen- Pa

Другие MOSFET... BSP324 , BSP372 , BSP372N , BSP373 , BSP373N , BSP716N , BSP88 , BSP89L6327 , IRF830 , BSS119L6327 , BSS119N , BSS123D87Z , BSS123-7 , BSS123-7-F , BSS123L6327 , BSS123L6433 , BSS123N .

History: AOI1R4A70 | HAT2172H | AP18T10GJ-HF | 2SK4191LS | RQ3E150BN | JCS6AN135ABA | UPA2821T1L

 

 
Back to Top

 


 
.