BSS159N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS159N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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BSS159N datasheet
bss159n.pdf
BSS159N SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 60 V DS N-channel R 8 DS(on),max Depletion mode I 0.13 A DSS,min dv /dt rated Available with V indicator on reel GS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliant SOT-23 Type Package Pb-free Tape and Reel Information Marking BSS159 PG-SOT-23 Yes L6327 3000 pcs/reel SGs BSS159 PG-SOT-23 Yes
bss159.pdf
Preliminary Data BSS 159 SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Depletion mode High dynamic resistance Pin 1 Pin 2 Pin 3 G S D Type VDS ID RDS(on) Package Marking Ordering Code BSS 159 50 V 0.16 A 8 SOT-23 SEs Q67000-S321 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 50 V V Drain-gate voltage DGR RGS = 20 k 50 Gate source voltage
Otros transistores... BSS138-G , BSS138LT1G , BSS138LT3 , BSS138LT3G , BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , IRF740 , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , BSS606N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE .
History: IRFI064 | AP70SL1K4BH | MTP5P25
History: IRFI064 | AP70SL1K4BH | MTP5P25
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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