BSS159N Todos los transistores

 

BSS159N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS159N
   Código: SGs
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BSS159N Datasheet (PDF)

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BSS159N

BSS159NSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS N-channelR 8DS(on),max Depletion modeI 0.13 ADSS,min dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliantSOT-23Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS159 PG-SOT-23 Yes L6327: 3000 pcs/reel SGsBSS159 PG-SOT-23 Yes

 8.1. Size:33K  infineon
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BSS159N

Preliminary DataBSS 159SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Depletion mode High dynamic resistancePin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package Marking Ordering CodeBSS 159 50 V 0.16 A 8 SOT-23 SEs Q67000-S321Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 50 VVDrain-gate voltageDGRRGS = 20 k 50Gate source voltage

Otros transistores... BSS138-G , BSS138LT1G , BSS138LT3 , BSS138LT3G , BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , IRF740 , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , BSS606N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE .

History: BSS138N | ZXMN2A14FTA

 

 
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