Справочник MOSFET. BSS159N

 

BSS159N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS159N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для BSS159N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS159N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  infineon
 bss159n.pdf pdf_icon

BSS159N

BSS159NSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS N-channelR 8DS(on),max Depletion modeI 0.13 ADSS,min dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliantSOT-23Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS159 PG-SOT-23 Yes L6327: 3000 pcs/reel SGsBSS159 PG-SOT-23 Yes

 8.1. Size:33K  infineon
 bss159.pdf pdf_icon

BSS159N

Preliminary DataBSS 159SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Depletion mode High dynamic resistancePin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package Marking Ordering CodeBSS 159 50 V 0.16 A 8 SOT-23 SEs Q67000-S321Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 50 VVDrain-gate voltageDGRRGS = 20 k 50Gate source voltage

Другие MOSFET... BSS138-G , BSS138LT1G , BSS138LT3 , BSS138LT3G , BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , IRF740 , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , BSS606N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE .

History: ZXMN2A01E6TA | IXTA160N075T7

 

 
Back to Top

 


 
.