Справочник MOSFET. BSS159N

 

BSS159N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSS159N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для BSS159N

 

 

BSS159N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  infineon
 bss159n.pdf

BSS159N BSS159N

BSS159NSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS N-channelR 8DS(on),max Depletion modeI 0.13 ADSS,min dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliantSOT-23Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS159 PG-SOT-23 Yes L6327: 3000 pcs/reel SGsBSS159 PG-SOT-23 Yes

 8.1. Size:33K  infineon
 bss159.pdf

BSS159N BSS159N

Preliminary DataBSS 159SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Depletion mode High dynamic resistancePin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package Marking Ordering CodeBSS 159 50 V 0.16 A 8 SOT-23 SEs Q67000-S321Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 50 VVDrain-gate voltageDGRRGS = 20 k 50Gate source voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top