BSS159N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS159N
Маркировка: SGs
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.23 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.2 nC
Время нарастания (tr): 2.9 ns
Выходная емкость (Cd): 8.3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
BSS159N Datasheet (PDF)
bss159n.pdf
BSS159NSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS N-channelR 8DS(on),max Depletion modeI 0.13 ADSS,min dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliantSOT-23Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS159 PG-SOT-23 Yes L6327: 3000 pcs/reel SGsBSS159 PG-SOT-23 Yes
bss159.pdf
Preliminary DataBSS 159SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Depletion mode High dynamic resistancePin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package Marking Ordering CodeBSS 159 50 V 0.16 A 8 SOT-23 SEs Q67000-S321Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 50 VVDrain-gate voltageDGRRGS = 20 k 50Gate source voltage
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
