BSS159N - описание и поиск аналогов

 

BSS159N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS159N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для BSS159N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS159N даташит

 ..1. Size:306K  infineon
 bss159n.pdf pdf_icon

BSS159N

BSS159N SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 60 V DS N-channel R 8 DS(on),max Depletion mode I 0.13 A DSS,min dv /dt rated Available with V indicator on reel GS(th) Pb-free lead-plating; RoHS compliant SOT-23 Type Package Pb-free Tape and Reel Information Marking BSS159 PG-SOT-23 Yes L6327 3000 pcs/reel SGs BSS159 PG-SOT-23 Yes

 8.1. Size:33K  infineon
 bss159.pdf pdf_icon

BSS159N

Preliminary Data BSS 159 SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Depletion mode High dynamic resistance Pin 1 Pin 2 Pin 3 G S D Type VDS ID RDS(on) Package Marking Ordering Code BSS 159 50 V 0.16 A 8 SOT-23 SEs Q67000-S321 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 50 V V Drain-gate voltage DGR RGS = 20 k 50 Gate source voltage

Другие MOSFET... BSS138-G , BSS138LT1G , BSS138LT3 , BSS138LT3G , BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , IRF740 , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , BSS606N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.