BSZ110N08NS5 Todos los transistores

 

BSZ110N08NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ110N08NS5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
 

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BSZ110N08NS5 Datasheet (PDF)

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BSZ110N08NS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv

 6.1. Size:459K  infineon
bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSZ110N08NS5

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History: 2SK3512-01L | AP25P15GS-HF | JCS33N25CT | AONS32303

 

 
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