BSZ110N08NS5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSZ110N08NS5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TSDSON-8FL
Аналог (замена) для BSZ110N08NS5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSZ110N08NS5 даташит
bsz110n08ns5.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 TSDSON-8 FL 1 Description (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv
bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf
pe $) $ TM " A 03 B53 R 11 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1
Другие MOSFET... BSZ0901NS , BSZ0901NSI , BSZ0902NS , BSZ0902NSI , BSZ0904NSI , BSZ0907ND , BSZ0908ND , BSZ097N10NS5 , AON7410 , BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568