Справочник MOSFET. BSZ110N08NS5

 

BSZ110N08NS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ110N08NS5
   Маркировка: 110N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8FL
 

 Аналог (замена) для BSZ110N08NS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ110N08NS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1359K  infineon
 bsz110n08ns5.pdf pdf_icon

BSZ110N08NS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv

 6.1. Size:459K  infineon
 bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSZ110N08NS5

pe $) $ TM ":A 03 B53 R 11 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

Другие MOSFET... BSZ0901NS , BSZ0901NSI , BSZ0902NS , BSZ0902NSI , BSZ0904NSI , BSZ0907ND , BSZ0908ND , BSZ097N10NS5 , RFP50N06 , BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 .

History: SVF4N65CAM

 

 
Back to Top

 


 
.