BSZ110N08NS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSZ110N08NS5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TSDSON-8FL
Аналог (замена) для BSZ110N08NS5
BSZ110N08NS5 Datasheet (PDF)
bsz110n08ns5.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VBSZ110N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv
bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf
pe $) $ TM ":A 03 B53 R 11 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1
Другие MOSFET... BSZ0901NS , BSZ0901NSI , BSZ0902NS , BSZ0902NSI , BSZ0904NSI , BSZ0907ND , BSZ0908ND , BSZ097N10NS5 , RFP50N06 , BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 .
History: MCU01N80 | APT5024BLL
History: MCU01N80 | APT5024BLL
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568