12N18 Todos los transistores

 

12N18 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 12N18

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 180 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO-3 TO-220

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12N18 datasheet

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
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12N18

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N18 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 180V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.25 (Max) DS(on) Fast Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 0.2. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf pdf_icon

12N18

 0.3. Size:101K  njs
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12N18

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History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3

 

 

 


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