12N18 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 12N18
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 180 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
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12N18 datasheet
12n18.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 12N18 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 180V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.25 (Max) DS(on) Fast Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB
Otros transistores... BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 , AON7506 , 12N20 , 12N45 , 12N45A , 15N05 , 15N12 , 15N45 , 17N60 , 2SJ374 .
History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3
History: ZXMN6A09G | APT50M50L2FLLG | G30N04D3
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