12N18 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 12N18
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 180 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 130 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3 TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 12N18

12N18 Datasheet (PDF)

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12n18.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N18FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 180V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.25(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

0.1. Size:177K 1
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