12N18 - описание и поиск аналогов

 

12N18. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 12N18

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-3 TO-220

Аналог (замена) для 12N18

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12N18 даташит

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
12n18.pdfpdf_icon

12N18

isc N-Channel MOSFET Transistor 12N18 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 180V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.25 (Max) DS(on) Fast Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 0.2. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdfpdf_icon

12N18

 0.3. Size:101K  njs
mtp12n18.pdfpdf_icon

12N18

Другие MOSFET... BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 , AON7506 , 12N20 , 12N45 , 12N45A , 15N05 , 15N12 , 15N45 , 17N60 , 2SJ374 .

History: 2SK1632 | DMTH8012LK3 | JMSH2010PTL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.