12N18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 12N18
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO-3 TO-220
Аналог (замена) для 12N18
12N18 Datasheet (PDF)
12n18.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 12N18FEATURESDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 180V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.25(Max)DS(on)Fast SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch mode power supply.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Другие MOSFET... BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 , IRFP250 , 12N20 , 12N45 , 12N45A , 15N05 , 15N12 , 15N45 , 17N60 , 2SJ374 .
History: FDI047AN08A0 | AP9585GM | SQJ410EP | 1N60L-T60-K | KUK109-50DL | IPB160N04S3-H2
History: FDI047AN08A0 | AP9585GM | SQJ410EP | 1N60L-T60-K | KUK109-50DL | IPB160N04S3-H2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141