2SJ374 Todos los transistores

 

2SJ374 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ374
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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2SJ374 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  shenzhen
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2SJ374

 ..2. Size:194K  inchange semiconductor
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2SJ374

isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ374DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResistanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 9.1. Size:417K  toshiba
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2SJ374

2SJ378 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ378 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 9.2. Size:415K  toshiba
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2SJ374

2SJ377 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ377 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

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History: BLD6G22LS-50 | D2N60

 

 
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