Справочник MOSFET. 2SJ374

 

2SJ374 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SJ374
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 87 nC
   Время включения (ton): 160 ns
   Выходная емкость (Cd): 1050 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для 2SJ374

 

 

2SJ374 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  shenzhen
2sj374.pdf

2SJ374 2SJ374

 ..2. Size:194K  inchange semiconductor
2sj374.pdf

2SJ374 2SJ374

isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ374DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResistanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 9.1. Size:417K  toshiba
2sj378.pdf

2SJ374 2SJ374

2SJ378 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ378 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 9.2. Size:415K  toshiba
2sj377.pdf

2SJ374 2SJ374

2SJ377 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ377 Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.16 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mo

 9.3. Size:831K  cn vbsemi
2sj377.pdf

2SJ374 2SJ374

2SJ377www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbol

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top