2SK1680 Todos los transistores

 

2SK1680 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1680
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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2SK1680 datasheet

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
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2SK1680

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1680 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high Current, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 500 V DSS GS

 8.1. Size:43K  hitachi
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2SK1680

2SK168 Silicon N-Channel Junction FET Application VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator Outline TO-92 (2) 1. Gate 2. Source 3. Drain 3 2 1 2SK168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage VGDO 30 V Gate to source voltage VGSS 1 V Gate current IG 10 mA Drain current ID 20 mA Channel power dissipation Pch 200 mW Channel temper

 8.2. Size:158K  no
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2SK1680

"2SK1685" "2SK1685"

 8.3. Size:47K  shindengen
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2SK1680

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