2SK1680 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1680
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для 2SK1680
2SK1680 Datasheet (PDF)
2sk1680.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1680DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh Current, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 500 VDSS GS
2sk168.pdf

2SK168Silicon N-Channel Junction FETApplicationVHF Amplifier, Mixer, Local oscillatorOutlineTO-92 (2)1. Gate2. Source3. Drain3212SK168Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage VGDO 30 VGate to source voltage VGSS 1 VGate current IG 10 mADrain current ID 20 mAChannel power dissipation Pch 200 mWChannel temper
Другие MOSFET... 2SK1635 , 2SK1638 , 2SK1639 , 2SK1662 , 2SK1674 , 2SK1677 , 2SK1678 , 2SK1679 , IRFZ44 , 2SK1699 , 2SK1700 , 2SK1701 , 2SK1703 , 2SK1704 , 2SK1705 , 2SK1706 , 2SK1707 .
History: IXFT24N80P | TSM2302CX | KP509B9 | AP9402AGYT-HF | IXTA64N10L2 | CSD17310Q5A | IXFT24N90P
History: IXFT24N80P | TSM2302CX | KP509B9 | AP9402AGYT-HF | IXTA64N10L2 | CSD17310Q5A | IXFT24N90P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement