2SK1680. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK1680
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для 2SK1680
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1680 даташит
2sk1680.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1680 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high Current, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage (V =0) 500 V DSS GS
2sk168.pdf
2SK168 Silicon N-Channel Junction FET Application VHF Amplifier, Mixer, Local oscillator Outline TO-92 (2) 1. Gate 2. Source 3. Drain 3 2 1 2SK168 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage VGDO 30 V Gate to source voltage VGSS 1 V Gate current IG 10 mA Drain current ID 20 mA Channel power dissipation Pch 200 mW Channel temper
Другие MOSFET... 2SK1635 , 2SK1638 , 2SK1639 , 2SK1662 , 2SK1674 , 2SK1677 , 2SK1678 , 2SK1679 , IRFZ44 , 2SK1699 , 2SK1700 , 2SK1701 , 2SK1703 , 2SK1704 , 2SK1705 , 2SK1706 , 2SK1707 .
History: NTMFS4821N | SWP80N08V1 | SMF12N65
History: NTMFS4821N | SWP80N08V1 | SMF12N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement






