2SK1819 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1819
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 450 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1819
2SK1819 Datasheet (PDF)
2sk1819.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1819DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSChopper regulatorMotor driveInvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
2sk1813.pdf
Ordering number:EN4177N-Channel Silicon MOSFET2SK1813High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2089 Converters.[2SK1813]10.24.51.31.20.80.41 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220MFSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Co
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