2SK1819 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK1819
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
2SK1819 Datasheet (PDF)
2sk1819.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1819DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSChopper regulatorMotor driveInvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
2sk1813.pdf
Ordering number:EN4177N-Channel Silicon MOSFET2SK1813High-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2089 Converters.[2SK1813]10.24.51.31.20.80.41 2 31 : Gate2 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO-220MFSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Co
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
