2SK1976 Todos los transistores

 

2SK1976 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1976
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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2SK1976 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  rohm
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 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
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2SK1976

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1976DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh Breakdown VoltageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 450 V

 8.1. Size:82K  renesas
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2SK1976

2SK1971 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0990-0200 (Previous: ADE-208-1338) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A(Package name

 8.2. Size:86K  no
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History: NCE85H21C | HTD2K4P15T | NTJS4405NT1 | SHD225628

 

 
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