2SK1976 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK1976
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для 2SK1976
2SK1976 Datasheet (PDF)
2sk1976.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1976DESCRIPTIONDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh Breakdown VoltageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 450 V
2sk1971.pdf
2SK1971 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0990-0200 (Previous: ADE-208-1338) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A(Package name
Другие MOSFET... 2SK1936 , 2SK1937 , 2SK1938 , 2SK1939 , 2SK1940 , 2SK1941 , 2SK1942 , 2SK1974 , IRF9540N , 2SK1981 , 2SK1982 , 2SK1983 , 2SK1984 , 2SK1985 , 2SK2002-01M , 2SK2003-01M , 2SK2019-01 .
History: H2N7000 | 2SK3618 | CS10N80P
History: H2N7000 | 2SK3618 | CS10N80P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor




