SUB45N05-20L Todos los transistores

 

SUB45N05-20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUB45N05-20L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SUB45N05-20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  vishay
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SUB45N05-20L

SUP/SUB45N05-20LVishay SiliconixN-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.018 @ VGS = 10 V50 "45 a"0.020 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB45N05-20LTop ViewN-Channel MOSFETSUP45N05-20LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

 7.1. Size:66K  vishay
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SUB45N05-20L

SUB45N03-13LVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETSD 175_C Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.013 @ VGS = 10 V 45a30300.02 @ VGS = 4.5 V 45aDTO-263GG D STop ViewSSUB45N03-13LN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Unit

Otros transistores... 2SK846 , 2SK857 , 2SK922 , 3N45 , 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , IRFZ48N , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , RFM4N35 , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 5NA80 .

History: IRFH7936 | SSW60R040S2E | PSMN022-30BL | HM4450A | IRF6709S2 | TK62J60W5 | ZXMP6A18DN8

 

 
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