SUB45N05-20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUB45N05-20L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUB45N05-20L
SUB45N05-20L Datasheet (PDF)
sub45n05-20l sup45n05-20l.pdf
SUP/SUB45N05-20LVishay SiliconixN-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.018 @ VGS = 10 V50 "45 a"0.020 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB45N05-20LTop ViewN-Channel MOSFETSUP45N05-20LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol
sub45n03-13l.pdf
SUB45N03-13LVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETSD 175_C Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.013 @ VGS = 10 V 45a30300.02 @ VGS = 4.5 V 45aDTO-263GG D STop ViewSSUB45N03-13LN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Unit
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
