SUB45N05-20L Todos los transistores

 

SUB45N05-20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUB45N05-20L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SUB45N05-20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  vishay
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SUB45N05-20L

SUP/SUB45N05-20LVishay SiliconixN-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.018 @ VGS = 10 V50 "45 a"0.020 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB45N05-20LTop ViewN-Channel MOSFETSUP45N05-20LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

 7.1. Size:66K  vishay
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SUB45N05-20L

SUB45N03-13LVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETSD 175_C Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.013 @ VGS = 10 V 45a30300.02 @ VGS = 4.5 V 45aDTO-263GG D STop ViewSSUB45N03-13LN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Unit

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History: DATP057N06N

 

 
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