SUB45N05-20L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUB45N05-20L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: TO263
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SUB45N05-20L datasheet
sub45n05-20l sup45n05-20l.pdf
SUP/SUB45N05-20L Vishay Siliconix N-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.018 @ VGS = 10 V 50 "45 a " 0.020 @ VGS = 4.5 V D TO-220AB TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S S SUB45N05-20L Top View N-Channel MOSFET SUP45N05-20L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol
sub45n03-13l.pdf
SUB45N03-13L Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETS D 175_C Junction Temperature V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.013 @ VGS = 10 V 45a 30 30 0.02 @ VGS = 4.5 V 45a D TO-263 G G D S Top View S SUB45N03-13L N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit
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History: DMG2302UK | SM1A08NSU | NCE60H10F | VS6880AT | 4N60KL-TF1-T | ST2341S23R | FX50KMJ-03
History: DMG2302UK | SM1A08NSU | NCE60H10F | VS6880AT | 4N60KL-TF1-T | ST2341S23R | FX50KMJ-03
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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