Справочник MOSFET. SUB45N05-20L

 

SUB45N05-20L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUB45N05-20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SUB45N05-20L

 

 

SUB45N05-20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  vishay
sub45n05-20l sup45n05-20l.pdf

SUB45N05-20L
SUB45N05-20L

SUP/SUB45N05-20LVishay SiliconixN-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.018 @ VGS = 10 V50 "45 a"0.020 @ VGS = 4.5 VDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB45N05-20LTop ViewN-Channel MOSFETSUP45N05-20LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

 7.1. Size:66K  vishay
sub45n03-13l.pdf

SUB45N05-20L
SUB45N05-20L

SUB45N03-13LVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFETSD 175_C Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.013 @ VGS = 10 V 45a30300.02 @ VGS = 4.5 V 45aDTO-263GG D STop ViewSSUB45N03-13LN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top