RFM4N35 Todos los transistores

 

RFM4N35 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFM4N35
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 350 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 42 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

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RFM4N35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  harris semi
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RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1491.34A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFETs 4A, 350V and 400V[ /Title[ /TitleThese are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000(RFM4N()power field effect transistors designed for applications such35, Related Literature/Sub- as switchi

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