RFM4N35 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFM4N35
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 350 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 42 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RFM4N35
RFM4N35 Datasheet (PDF)
rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf
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