Справочник MOSFET. RFM4N35

 

RFM4N35 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFM4N35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для RFM4N35

 

 

RFM4N35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  harris semi
 rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf

RFM4N35 RFM4N35

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1491.34A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFETs 4A, 350V and 400V[ /Title[ /TitleThese are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000(RFM4N()power field effect transistors designed for applications such35, Related Literature/Sub- as switchi

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top