RFM4N35 - описание и поиск аналогов

 

RFM4N35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFM4N35

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для RFM4N35

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM4N35 даташит

 ..1. Size:42K  harris semi
 rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf pdf_icon

RFM4N35

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40 Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 1491.3 4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Features Power MOSFETs 4A, 350V and 400V [ /Title [ /Title These are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000 (RFM4N () power field effect transistors designed for applications such 35, Related Literature /Sub- as switchi

Другие MOSFET... 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , IRFZ46N , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A .

History: ZXMP10A18GTA | 2SK2673 | BSR302N | IPA60R120C7 | IRF7343I | AFN4172WSS8 | SL20N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.