RFM4N35 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RFM4N35
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для RFM4N35
RFM4N35 Datasheet (PDF)
rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1491.34A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFETs 4A, 350V and 400V[ /Title[ /TitleThese are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000(RFM4N()power field effect transistors designed for applications such35, Related Literature/Sub- as switchi
Другие MOSFET... 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , STP65NF06 , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50