Справочник MOSFET. RFM4N35

 

RFM4N35 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFM4N35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для RFM4N35

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM4N35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  harris semi
 rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdf pdf_icon

RFM4N35

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1491.34A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFETs 4A, 350V and 400V[ /Title[ /TitleThese are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000(RFM4N()power field effect transistors designed for applications such35, Related Literature/Sub- as switchi

Другие MOSFET... 3N55 , 3N75 , 40N05 , 40N06 , SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , STP65NF06 , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A .

 

 
Back to Top

 


 
.