5NA80 Todos los transistores

 

5NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 5NA80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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5NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
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5NA80

isc N-Channel MOSFET Transistor 5NA80DESCRIPTIONDrain Current I = 4.7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current ,high speed switchingSwitch mode power suppliesDC-AC converters for welding equipment and uninterruptiblepow

 0.1. Size:131K  st
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5NA80

STB5NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB5NA80 800 V

 0.2. Size:393K  st
 stp5na80.pdf pdf_icon

5NA80

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V

 0.3. Size:365K  st
 stv5na80.pdf pdf_icon

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History: APT50M80B2LC | VBZM80N10 | SFW280N600BC4 | SRC4N65DTR | HPP120N08STA | 2SK3645-01MR | AJCS10N65CT

 

 
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