Справочник MOSFET. 5NA80

 

5NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 5NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 5na80.pdf pdf_icon

5NA80

isc N-Channel MOSFET Transistor 5NA80DESCRIPTIONDrain Current I = 4.7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current ,high speed switchingSwitch mode power suppliesDC-AC converters for welding equipment and uninterruptiblepow

 0.1. Size:131K  st
 stb5na80.pdf pdf_icon

5NA80

STB5NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB5NA80 800 V

 0.2. Size:393K  st
 stp5na80.pdf pdf_icon

5NA80

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V

 0.3. Size:365K  st
 stv5na80.pdf pdf_icon

5NA80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , RFM4N35 , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 8N60 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A , 9N90L-T3P , BUK444-200A , BUK444-800 , BUK445-200B .

History: FDWS86368-F085

 

 
Back to Top

 


 
.