5NA80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 5NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для 5NA80
5NA80 Datasheet (PDF)
5na80.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 5NA80DESCRIPTIONDrain Current I = 4.7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current ,high speed switchingSwitch mode power suppliesDC-AC converters for welding equipment and uninterruptiblepow
stb5na80.pdf

STB5NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB5NA80 800 V
stp5na80.pdf

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V
Другие MOSFET... SUB45N05-20L , SUP45N05-20L , 45N06 , 45N20 , RFM4N35 , RFM4N40 , 4N60AS , 50N06FI , 8N60 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A , 9N90L-T3P , BUK444-200A , BUK444-800 , BUK445-200B .
History: BL10N80-W | BL12N60A-A | BL10N80-P | KIA3510A-252 | SPD5N50G | STS8DN6LF6AG
History: BL10N80-W | BL12N60A-A | BL10N80-P | KIA3510A-252 | SPD5N50G | STS8DN6LF6AG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a