5NA80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 5NA80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO220
5NA80 Datasheet (PDF)
5na80.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 5NA80DESCRIPTIONDrain Current I = 4.7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current ,high speed switchingSwitch mode power suppliesDC-AC converters for welding equipment and uninterruptiblepow
stb5na80.pdf
STB5NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB5NA80 800 V
stp5na80.pdf
STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V
stp5na80fp.pdf
STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V
stp5na80--.pdf
STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V
pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf
PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 8N60KG-TA3-T
