Справочник MOSFET. 5NA80

 

5NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

5NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 5na80.pdf pdf_icon

5NA80

isc N-Channel MOSFET Transistor 5NA80DESCRIPTIONDrain Current I = 4.7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current ,high speed switchingSwitch mode power suppliesDC-AC converters for welding equipment and uninterruptiblepow

 0.1. Size:131K  st
 stb5na80.pdf pdf_icon

5NA80

STB5NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB5NA80 800 V

 0.2. Size:393K  st
 stp5na80.pdf pdf_icon

5NA80

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V

 0.3. Size:365K  st
 stv5na80.pdf pdf_icon

5NA80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STN18D20 | SIHG47N60S | NTMFS5C410NT3G | 9N95 | TK8P25DA | AUIRFR6215 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.