60N06-14 Todos los transistores

 

60N06-14 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 60N06-14
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

60N06-14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  inchange semiconductor
 60n06-14.pdf pdf_icon

60N06-14

isc N-Channel MOSFET Transistor 60N06-14DESCRIPTIONHigh current capabilityAvalanche rugged technologyLow gate chargeFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSRegulatorHigh current,high speed switchingSolenoid and relay driversABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL ARAMETER V

 0.1. Size:54K  st
 stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

60N06-14

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 0.2. Size:87K  st
 stb60n06-14.pdf pdf_icon

60N06-14

STB60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTB60N06-14 60 V

 0.3. Size:867K  cn vbsemi
 stb60n06-14.pdf pdf_icon

60N06-14

STB60N06-14www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-Sou

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