60N06-14 Todos los transistores

 

60N06-14 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 60N06-14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO220

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60N06-14 datasheet

 ..1. Size:226K  inchange semiconductor
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60N06-14

isc N-Channel MOSFET Transistor 60N06-14 DESCRIPTION High current capability Avalanche rugged technology Low gate charge Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Regulator High current,high speed switching Solenoid and relay drivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL ARAMETER V

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60N06-14

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

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60N06-14

STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STB60N06-14 60 V

 0.3. Size:867K  cn vbsemi
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60N06-14

STB60N06-14 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 60 60 0.013 at VGS = 4.5 V 50 D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-Sou

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History: ZXMP10A17E6Q | F12N65 | 2SK3064 | DMTH6009LK3 | MXP4002AT | SM3308NSQA | MDV1528URH

 

 

 

 

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