BUZ14 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ14
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: TO-3
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BUZ14 datasheet
buz14.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ14 FEATURES Static Drain-Source On-Resistance R = 0.04 (Max) DS(on) SOA is Power Dissipation Limited High input impedance High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,rela
Otros transistores... BUK454-200B , BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A , BUK456-60B , 9N90L-TF1 , BUK444-200B , IRFB4110 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 .
History: SWD19N10 | SUD45P03-09
History: SWD19N10 | SUD45P03-09
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