BUZ14 - аналоги и даташиты транзистора

 

BUZ14 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ14
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
 

 Аналог (замена) для BUZ14

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  siemens
 buz14.pdf pdf_icon

BUZ14

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
 buz14.pdf pdf_icon

BUZ14

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ14FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.04(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela

Другие MOSFET... BUK454-200B , BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A , BUK456-60B , 9N90L-TF1 , BUK444-200B , IRF640N , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 .

History: SI4890BDY-T1

 

 
Back to Top

 


 
.