BUZ15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3
Búsqueda de reemplazo de BUZ15 MOSFET
BUZ15 Datasheet (PDF)
buz15.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ15FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.03(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela
Otros transistores... BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A , BUK456-60B , 9N90L-TF1 , BUK444-200B , BUZ14 , IRFP260N , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 .
History: SI3443BDV | IRFB5620PBF | ZVN4424Z | SI4840DY-T1-E3 | AP2304AGN | SWT18N65D | HM16N50F
History: SI3443BDV | IRFB5620PBF | ZVN4424Z | SI4840DY-T1-E3 | AP2304AGN | SWT18N65D | HM16N50F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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