Справочник MOSFET. BUZ15

 

BUZ15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
 

 Аналог (замена) для BUZ15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  siemens
buz15.pdfpdf_icon

BUZ15

 ..2. Size:223K  inchange semiconductor
buz15.pdfpdf_icon

BUZ15

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ15FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.03(Max)DS(on)SOA is Power Dissipation LimitedHigh input impedanceHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,rela

Другие MOSFET... BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A , BUK456-60B , 9N90L-TF1 , BUK444-200B , BUZ14 , IRF630 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 .

History: IRFS254 | STL11N3LLH6 | AP02N60I-A | WMK028N10HGS | SIR876ADP | SI4435DY | HB3710P

 

 
Back to Top

 


 
.