JCS24N50ABH Todos los transistores

 

JCS24N50ABH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS24N50ABH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO3PB

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JCS24N50ABH datasheet

 ..1. Size:990K  jilin sino
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JCS24N50ABH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1012K  jilin sino
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JCS24N50ABH

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History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K

 

 

 

 

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