JCS24N50ABH Todos los transistores

 

JCS24N50ABH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS24N50ABH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 271 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS24N50ABH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  jilin sino
 jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf pdf_icon

JCS24N50ABH

N N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1012K  jilin sino
 jcs24n50wh-abh.pdf pdf_icon

JCS24N50ABH

N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS (u l High efficienc

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History: CEB14A04 | IXFN64N60P | BSC076N04ND | SMP40N10 | WMB060N08HG2 | IRF624A | WNM3017

 

 
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