JCS24N50ABH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JCS24N50ABH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO3PB
Аналог (замена) для JCS24N50ABH
JCS24N50ABH Datasheet (PDF)
jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf
N N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
jcs24n50wh-abh.pdf
N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS (u l High efficienc
Другие MOSFET... BUK444-200B , BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , AON6414A , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 .
History: NCE8580 | MDP1991
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet



