JCS24N50ABH - описание и поиск аналогов

 

JCS24N50ABH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS24N50ABH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для JCS24N50ABH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS24N50ABH даташит

 ..1. Size:990K  jilin sino
 jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf pdf_icon

JCS24N50ABH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1012K  jilin sino
 jcs24n50wh-abh.pdf pdf_icon

JCS24N50ABH

Другие MOSFET... BUK444-200B , BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , AON6414A , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.