Справочник MOSFET. JCS24N50ABH

 

JCS24N50ABH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS24N50ABH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 271 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для JCS24N50ABH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS24N50ABH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:990K  jilin sino
 jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf pdf_icon

JCS24N50ABH

N N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:1012K  jilin sino
 jcs24n50wh-abh.pdf pdf_icon

JCS24N50ABH

N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS (u l High efficienc

Другие MOSFET... BUK444-200B , BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , IRFB4110 , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , SPB77N06S2-12 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 .

History: WMO10N105C2 | AM7341P | IPI120N10S4-03 | WMJ90N65C4 | SSSF11NS65UF | SI3812DV | IPP60R022S7

 

 
Back to Top

 


 
.