SPB77N06S2-12 Todos los transistores

 

SPB77N06S2-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB77N06S2-12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de SPB77N06S2-12 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SPB77N06S2-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPB77N06S2-12

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

Otros transistores... BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , IRFB4115 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 .

History: HY3610P | SDF920NE | JS65R170SM | RD01MUS1 | MN7R6-60PS | NP100N04MUH

 

 
Back to Top

 


 
.