Справочник MOSFET. SPB77N06S2-12

 

SPB77N06S2-12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB77N06S2-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SPB77N06S2-12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB77N06S2-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPB77N06S2-12

SPP77N06S2-12SPB77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 12 m Enhancement modeID 80 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S60292N0612SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612Ma

Другие MOSFET... BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , IRFB4115 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 .

History: SI1967DH-T1-GE3 | TPC8047-H | 2SK1793

 

 
Back to Top

 


 
.