SPB77N06S2-12 - описание и поиск аналогов

 

SPB77N06S2-12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB77N06S2-12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB77N06S2-12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB77N06S2-12 даташит

 ..1. Size:311K  infineon
 spp77n06s2-12 spb77n06s2-12.pdf pdf_icon

SPB77N06S2-12

SPP77N06S2-12 SPB77N06S2-12 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 12 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP77N06S2-12 P- TO220 -3-1 Q67060-S6029 2N0612 SPB77N06S2-12 P- TO263 -3-2 Q67060-S6030 2N0612 Ma

Другие MOSFET... BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH , RU6888R3 , SPP77N06S2-12 , P55NF06 , TSA20N50M , M7002NND03 , M7002TTD03 , MC3406 , MC3541 , MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.