MS13N50 Todos los transistores

 

MS13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  bruckewell
 ms13n50.pdf pdf_icon

MS13N50

MS13N50 500V N-Channel MOSFET Description The MS13N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic

 9.1. Size:565K  way-on
 wms13n03t1.pdf pdf_icon

MS13N50

WMS13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 13A DS DR

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