MS13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MS13N50 MOSFET
MS13N50 Datasheet (PDF)
ms13n50.pdf

MS13N50 500V N-Channel MOSFET Description The MS13N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic
wms13n03t1.pdf

WMS13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 13A DS DR
Otros transistores... MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , SPP20N60C3 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE .
History: IRF7303Q | IPP80N04S2L-03
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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