MS13N50 - описание и поиск аналогов

 

MS13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS13N50 даташит

 ..1. Size:970K  bruckewell
 ms13n50.pdf pdf_icon

MS13N50

MS13N50 500V N-Channel MOSFET Description The MS13N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic

 9.1. Size:565K  way-on
 wms13n03t1.pdf pdf_icon

MS13N50

WMS13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS13N03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S S G Features SOP-8L V = 30V, I = 13A DS D R

Другие MOSFET... MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , K3569 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.