Справочник MOSFET. MS13N50

 

MS13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  bruckewell
 ms13n50.pdf pdf_icon

MS13N50

MS13N50 500V N-Channel MOSFET Description The MS13N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Very Low Intrinsic

 9.1. Size:565K  way-on
 wms13n03t1.pdf pdf_icon

MS13N50

WMS13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 13A DS DR

Другие MOSFET... MCD04N60 , MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , SPP20N60C3 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE .

 

 
Back to Top

 


 
.