MS13P21 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS13P21
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
Encapsulados: SC-70
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MS13P21 datasheet
ms13p21.pdf
MS13P21 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.079 @ VGS = -4.5V -2.1 -20 battery-powered products such as com
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History: RZL025P01TR | DMP2004DWK
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