MS13P21 Todos los transistores

 

MS13P21 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS13P21
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
     - Selección de transistores por parámetros

 

MS13P21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  bruckewell
 ms13p21.pdf pdf_icon

MS13P21

MS13P21P-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.079 @ VGS = -4.5V -2.1-20battery-powered products such as com

 9.1. Size:759K  way-on
 wms13p04t1.pdf pdf_icon

MS13P21

WMS13P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13P04T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSFeatures GSOP-8L V = - 40V, I = - 13A DS DR

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UJN1208K | VS40200AD | SPP100N08S2L-07 | AP9972AGR-HF | IRFS820B | IRF7457PBF | TK14C65W

 

 
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