Справочник MOSFET. MS13P21

 

MS13P21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS13P21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для MS13P21

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS13P21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  bruckewell
 ms13p21.pdf pdf_icon

MS13P21

MS13P21P-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.079 @ VGS = -4.5V -2.1-20battery-powered products such as com

 9.1. Size:759K  way-on
 wms13p04t1.pdf pdf_icon

MS13P21

WMS13P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13P04T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSFeatures GSOP-8L V = - 40V, I = - 13A DS DR

Другие MOSFET... MCD04N65 , MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , 8205A , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 .

History: IRF7807VTRPBF-1 | RU7080R | IRF7601PBF

 

 
Back to Top

 


 
.