MS14N60 Todos los transistores

 

MS14N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS14N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MS14N60 datasheet

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MS14N60

MS14N60 900V N-Channel MOSFET Description The MS14N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requiremen

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History: HM15N02Q | HM15N50 | IRFS630B | APT48M80L | 2SK1638 | SVD640D

 

 

 

 

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