MS14N60 Todos los transistores

 

MS14N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS14N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MS14N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS14N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  bruckewell
 ms14n60.pdf pdf_icon

MS14N60

MS14N60 900V N-Channel MOSFET Description The MS14N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requiremen

Otros transistores... MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , 2SK3568 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 .

 

 
Back to Top

 


 
.