MS14N60 - описание и поиск аналогов

 

MS14N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS14N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MS14N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS14N60 даташит

 ..1. Size:375K  bruckewell
 ms14n60.pdf pdf_icon

MS14N60

MS14N60 900V N-Channel MOSFET Description The MS14N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requiremen

Другие MOSFET... MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , 4435 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 .

History: IRFU1N60APBF | TPCC8102

 

 

 

 

↑ Back to Top
.