Справочник MOSFET. MS14N60

 

MS14N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS14N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS14N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS14N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  bruckewell
 ms14n60.pdf pdf_icon

MS14N60

MS14N60 900V N-Channel MOSFET Description The MS14N60 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Low On Resistance Simple Drive Requiremen

Другие MOSFET... MCD3410 , MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , 2SK3568 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 .

History: CPC5602C | 2SK960

 

 
Back to Top

 


 
.