MS14P21 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS14P21
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
Encapsulados: SOT-363
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MS14P21 datasheet
ms14p21.pdf
MS14P21 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY These miniature surface mount MOSFETs utilize a VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A) high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7 dissipation. Typical applications are DC-DC -20 0.110 @ VGS = -2.5V -3.1 converters and power management in portable and battery
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History: 2SK1502 | JMSH0602AG
History: 2SK1502 | JMSH0602AG
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