MS14P21 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS14P21
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS14P21

MS14P21 Datasheet (PDF)

..1. Size:241K bruckewell
ms14p21.pdf

MS14P21P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7dissipation. Typical applications are DC-DC -20 0.110 @ VGS = -2.5V -3.1converters and power management in portable and battery

9.1. Size:761K way-on
wms14p03t1.pdf

WMS14P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS14P03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -14A DS DR

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: