MS14P21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MS14P21
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MS14P21 Datasheet (PDF)
ms14p21.pdf

MS14P21P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7dissipation. Typical applications are DC-DC -20 0.110 @ VGS = -2.5V -3.1converters and power management in portable and battery
wms14p03t1.pdf

WMS14P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS14P03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -14A DS DR
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent