Справочник MOSFET. MS14P21

 

MS14P21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS14P21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для MS14P21

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS14P21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  bruckewell
 ms14p21.pdf pdf_icon

MS14P21

MS14P21P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a VDS (V) rDS(on) (OHM) ID (A)high cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 0.079 @ VGS = -4.5V -3.7dissipation. Typical applications are DC-DC -20 0.110 @ VGS = -2.5V -3.1converters and power management in portable and battery

 9.1. Size:761K  way-on
 wms14p03t1.pdf pdf_icon

MS14P21

WMS14P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS14P03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -14A DS DR

Другие MOSFET... MS10N60 , MS10N65 , MS10N80 , MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , AON7410 , MS15N50 , MS15N60 , MS17N03Q8 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 , MS23N26 .

History: SSF2N60D1 | FDME430NT

 

 
Back to Top

 


 
.