MS17N03Q8 Todos los transistores

 

MS17N03Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS17N03Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SO-8

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MS17N03Q8 datasheet

 ..1. Size:645K  bruckewell
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MS17N03Q8

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS17N03Q8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MS17N03Q8 provides the designer with the best SO-8 Package combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount application

 9.1. Size:1308K  cn hmsemi
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MS17N03Q8

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

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History: SVD640D | 2SK1638 | HM15N50 | APT48M80L | IRFS630B

 

 

 

 

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