MS17N03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MS17N03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MS17N03Q8

MS17N03Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:645K bruckewell
ms17n03q8.pdf

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS17N03Q8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MS17N03Q8 provides the designer with the best SO-8 Package combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount application

9.1. Size:1308K cn hmsemi
hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power app

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Liste

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