Справочник MOSFET. MS17N03Q8

 

MS17N03Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS17N03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MS17N03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  bruckewell
 ms17n03q8.pdf pdf_icon

MS17N03Q8

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS17N03Q8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MS17N03Q8 provides the designer with the best SO-8 Package combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount application

 9.1. Size:1308K  cn hmsemi
 hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf pdf_icon

MS17N03Q8

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power app

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.