MS17N03Q8 - аналоги и даташиты транзистора

 

MS17N03Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS17N03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MS17N03Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS17N03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  bruckewell
 ms17n03q8.pdf pdf_icon

MS17N03Q8

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS17N03Q8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MS17N03Q8 provides the designer with the best SO-8 Package combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount application

 9.1. Size:1308K  cn hmsemi
 hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf pdf_icon

MS17N03Q8

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power app

Другие MOSFET... MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , 13N50 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 .

History: SM4512NHKP | SUM110P08-11 | FCP360N65S3R0

 

 
Back to Top

 


 
.