MS17N03Q8 - описание и поиск аналогов

 

MS17N03Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MS17N03Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для MS17N03Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS17N03Q8 даташит

 ..1. Size:645K  bruckewell
 ms17n03q8.pdf pdf_icon

MS17N03Q8

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS17N03Q8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MS17N03Q8 provides the designer with the best SO-8 Package combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount application

 9.1. Size:1308K  cn hmsemi
 hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf pdf_icon

MS17N03Q8

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

Другие MOSFET... MS12N60 , MS12N65 , MS13N50 , MS13P21 , MS14N60 , MS14P21 , MS15N50 , MS15N60 , 13N50 , MS18N50 , MS20N04NE , MS20N06 , MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 .

History: LPL4459

 

 

 

 

↑ Back to Top
.