MS34N34 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MS34N34
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
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MS34N34 Datasheet (PDF)
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Bruckewell Technology Corp., Ltd. TSOP-6 Package MS34N34 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Key Features: These miniature surface mount MOSFETs Utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters, power management in portable an
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