Справочник MOSFET. MS34N34

 

MS34N34 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS34N34
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для MS34N34

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS34N34 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  bruckewell
 ms34n34.pdf pdf_icon

MS34N34

Bruckewell Technology Corp., Ltd. TSOP-6 Package MS34N34 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Key Features: These miniature surface mount MOSFETs Utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters, power management in portable an

Другие MOSFET... MS20N06 , MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , 20N50 , MS3N80 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C .

History: IRHMS57Z60 | P3606BD | NCE70N900 | HGM120N10AL | 2SK1382 | IRFU3504Z | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.