MS3N80 Todos los transistores

 

MS3N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MS3N80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MS3N80 datasheet

 ..1. Size:985K  bruckewell
 ms3n80.pdf pdf_icon

MS3N80

MS3N80 800V N-Channel MOSFET Description The M3N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

Otros transistores... MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , IRFP450 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 .

History: H5N50U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.