MS3N80 Todos los transistores

 

MS3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MS3N80 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  bruckewell
 ms3n80.pdf pdf_icon

MS3N80

MS3N80 800V N-Channel MOSFET Description The M3N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

Otros transistores... MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , IRF1407 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.