MS3N80 - аналоги и даташиты транзистора

 

MS3N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MS3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MS3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MS3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  bruckewell
 ms3n80.pdf pdf_icon

MS3N80

MS3N80 800V N-Channel MOSFET Description The M3N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

Другие MOSFET... MS23N22 , MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , IRF1407 , MS40N06 , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.