Справочник MOSFET. MS3N80

 

MS3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MS3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MS3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  bruckewell
 ms3n80.pdf pdf_icon

MS3N80

MS3N80 800V N-Channel MOSFET Description The M3N80 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. Features RDS(on) (Max 2.4 )@VGS=10V Gate Charge (

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD640N06L | IPZ65R095C7 | P0903BD | PMN50UPE | AONR30310 | SLP10N70C | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.