MS40N06 Todos los transistores

 

MS40N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS40N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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MS40N06 datasheet

 ..1. Size:577K  bruckewell
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MS40N06

MS40N06 60V N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION The MS40N06 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . The QM6006M6 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. FEATURES Ad

 9.1. Size:1130K  cn hmsemi
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MS40N06

HMS40N10D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS40N10D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi

Otros transistores... MS23N26 , MS23N36 , MS23P01 , MS23P21 , MS23P25 , MS23P39 , MS34N34 , MS3N80 , TK10A60D , MS44P15 , MS4541C , MS48P25 , MS49P63 , MS4N60 , MS4N60C , MS4N65 , MS50N06 .

History: SFW9510 | JMSH2010BE | JMSH2010PC | GC11N65F | 2SJ540 | HM180N02 | DN2540

 

 

 

 

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